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參數資料
| 型號： | 2SC5632 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 中文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SC5632 |
Transistors
2SC5632
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: February 2003
SJC00186BED
For high-frequency amplification and switching
■
Features
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
100
μ
A, I
E
=
0
V
EB
=
2 V, I
C
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
2 mA
h
FE2
: V
CE
=
4 V, I
C
=
100
μ
A
h
FE1
: V
CE
=
4 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
20 mA, I
B
=
4 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
15 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
15
V
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
h
FE
2
μ
A
Forward current transfer ratio
100
350
h
FE
ratio
*
0.6
1.5
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.1
V
Transition frequency
f
T
C
ob
0.6
1.1
GHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
1.0
1.6
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
8
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
3
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
P
C
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Marking Symbol: 2R
2
±
0
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
2.0
±
0.2
1
±
0
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
0
±
0
0
0
+
–
0.15
+0.10
5
10
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*:
h
FE
=
h
FE2
/ h
FE1
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