- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33418 > 2SC5716 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC5716 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | 2SC5716 |
2SC5716
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5716
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Color TV
High voltage: VCBO = 1700 V
High speed: tf (2) = 0.2 s (typ.)
Collector metal (fin) is fully covered with mold resin.
Maximum Ratings (Tc
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
1700
V
Collector-emitter voltage
VCEO
700
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
DC
IC
8
Collector current
Pulse
ICP
16
A
Base current
IB
4
A
Collector power dissipation
PC
55
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16E3A
Weight: 5.5 g (typ.)
1. Base
40
(typ.)
3. Emitter
2. Collector
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5720 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5730KT146R | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5730TLQ | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5720(TPE4,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC57250SL | 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5729T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5729T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5730KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。