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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SCR554PT100 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | 2SCR554PT100 |
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (80V / 1.5A)
2SCR554P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR554P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
1.5
A
Pulsed
ICP
3A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : NH
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD661AS | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0661T | 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SCR554R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (80V / 1.5A) |
| 2SCR554RTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SCR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SCR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SCR574D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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