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參數資料
| 型號： | 2SCR554RTL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 408K |
| 代理商： | 2SCR554RTL |
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Midium Power Transistors (80V / 1.5A)
2SCR554R
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)
2) High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Applications
Inner circuit
Driver
Package
TSMT3
Code
TL
Basic ordering unit (pieces)
3000
Absolute maximum ratings (Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
1.5
A
Pulsed
ICP
3A
PD
0.5
W
PD
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a 40 x 40 x 0.7[mm3] ceramic substrate.
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
TSMT3
(1)
(2)
(3)
Abbreviated symbol : NH
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
(1)
(3)
(2)
1/5
2010.06 - Rev.A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0592AR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD0592AS | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD592AR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD0592S | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD592Q | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SCR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
| 2SCR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
| 2SCR574D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
| 2SCR574DGTL | 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 |
| 2SCR586D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 |
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