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參數資料
型號: 2SD1791-4000
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ITO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 43K
代理商: 2SD1791-4000
相關PDF資料
PDF描述
2SD1789-4000 4 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1283-4100 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1788-4000 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1023-4100 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1794 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SD1791-7012 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=7 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1791-7100 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=7 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1791-7112 功能描述:達林頓晶體管 V=100 IC=7 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1792-7000 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=7 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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