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參數資料
| 型號： | 2SD1934 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92NL-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SD1934 |
1
Transistor
2SD1934
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
For stroboscope
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Satisfactory operation performances at high efficiency with the
low-voltage power supply.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
TO–92NL Package
5.0
±
0.2
1
±
0
0
±
0
8
±
0
1.27
1
2
3
1.27
4.0
±
0.2
0.45
+0.15
–0.1
0.45
+0.15
–0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
2.54
±
0.15
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
40
20
7
8
5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 10V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V, I
C
= 2A
*2
I
C
= 3A, I
B
= 0.1A
*2
V
CB
= 6V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 20V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
20
7
230
150
typ
150
max
0.1
0.1
600
1
50
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
*2
Pulse measurement
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE1
230 ~ 380
340 ~ 600
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