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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2066Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 160V五（巴西）總裁| 12A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SD2066Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2012 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2019 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2066S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD2067 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SD2067(TENTATIVE) | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:2SD2067 (Tentative) - Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD20670RA | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2069 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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