- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33439 > 2SD2525 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2525 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10T1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SD2525 |
2SD2525
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2525
Audio Frequency Power Amplifier Applications
High DC current gain: 100 (min)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 2 A, IB = 0.2 A)
Complementary to 2SB1640
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3
Collector current
Pulse
ICP
6
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
1.8
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10T1A
Weight: 1.5 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2525 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2527Q | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2528P | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2528Q | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2531 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2525(TP,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TPL |
| 2SD2528 | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 5A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2536(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 115V 2A 3-Pin LSTM |
| 2SD2537T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2537T100V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 1.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。