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參數資料
| 型號： | 2SD2556 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For power switching) |
| 中文描述： | 5000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | U-TYPE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SD2556 |
Power Transistors
2SD2556
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For power switching
I
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Allowing supply with the radial taping
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
:
<
0.5 V
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
130
V
Collector to emitter voltage
80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
7
V
Peak collector current
10
A
Collector current
5
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
P
C
10
W
1
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
2 A
I
C
=
4 A, I
B
=
0.2 A
I
C
=
4 A, I
B
=
0.2 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A, f
=
10 MHz
I
C
=
2 A, I
B1
=
0.2 A, I
B2
=
0.2 A
V
CC
=
50 V
10
μ
A
μ
A
Emitter cutoff current
50
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE1
h
FE2
*
80
V
Forward current transfer ratio
45
90
260
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
0.5
V
Base to emitter saturation voltage
1.5
V
Transition frequency
30
MHz
Turn-on time
t
on
t
stg
t
f
0.5
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
1.5
Fall time
0.15
6.5
±
0.1
5.3
±
0.1
4.35
±
0.1
2.3
±
0.1
(5.3)
(4.35)
(3.0)
(
(
0.75
±
0.1
2.3
±
0.1
4.6
±
0.1
1
2
3
0.5
±
0.1
1.0
±
0.1
0.1
±
0.05
0.5
±
0.1
0
1
±
0
7
±
0
1
±
0
2
±
0
1: Base
2: Collector
3: Emitter
U Type Package
Internal Connection
B
C
E
Note)*: Rank classification
Rank
P
Q
h
FE2
130 to 260
90 to 180
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PDF描述 |
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