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參數資料
| 型號： | 2SD2655 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-59A, MPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | 2SD2655 |
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003
To all our customers
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2657TL | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2673TL | 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2674TL | 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2686 | 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2702TL | 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2655WM-TL-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R |
| 2SD2656FRAT106 | 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 |
| 2SD2656T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2657KT146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2657TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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