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參數資料
型號: 2SD2657KT146
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 78K
代理商: 2SD2657KT146
2SD2657K
Transistors
1/2
Low frequency amplifier
2SD2657K
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat)
≤ 350mV
At IC = 1A / IB = 50mA
!
External dimensions (Units : mm)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : FZ
0.8
0.15
0~0.1
0.3Min.
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
2.9
1.9
0.95
Each lead has same dimensions
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
30
6
1.5
200
150
55~+150
3
Unit
V
A
mW
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, PW=1ms
!
Packaging specifications
2SD2657K
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
!
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
330
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
160
350
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
11
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關PDF資料
PDF描述
2SD2663 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD2672T146 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2688LS 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2695 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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