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參數資料
| 型號： | 2SD859 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散型平面 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | 2SD859 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD859A | SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR |
| 2SD866 | 2SD866 |
| 2SD874 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SD875 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SD878 | HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD859A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR |
| 2SD860 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor |
| 2SD860A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SD860AP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SD860AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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