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參數資料
型號: 2SK2329L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數: 2/10頁
文件大小: 47K
代理商: 2SK2329L
2SK2329(L), 2SK2329(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
30
V
Gate to source voltage
±
10
V
Drain current
10
A
Drain peak current
40
A
Body to drain diode reverse drain current
10
A
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
10
μ
s, duty cycle
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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參數描述
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