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參數(shù)資料
型號: 2SK2329L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 47K
代理商: 2SK2329L
2SK2329(L), 2SK2329(S)
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
di/dt = 20 A/
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
5000
2000
1000
200
500
100
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
100
80
60
40
20
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
G
G
V = 10 V
25 V
I = 10 A
V
GS
V
DS
V = 25 V
10 V
Dynamic Input Characteristics
20
40
60
80
100
0
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
V = 4 V, V = 10 V
PW = 3 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
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PDF描述
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參數(shù)描述
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