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參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2329L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 47K
代理商: 2SK2329L
2SK2329(L), 2SK2329(S)
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
20
10
50
2
1
5
0.2
0.1
0.5
0.5
1
2
5
10
20
50
1ms
DCOpeaion(Tc=25°C
100μs
10μs
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
20
16
12
8
4
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
V = 1.5 V
2 V
10 V
5 V
4 V
2.5 V
20
16
12
8
4
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
1
2
3
4
5
V = 10 V
Pulse Test
Tc = 75°C
25°C
–25°C
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PDF描述
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