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參數(shù)資料
型號(hào): 2SK260H
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 5A條(丁)|至3
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大小: 48K
代理商: 2SK260H
2SK2553
4
100
75
50
25
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
500
200
100
20
50
10
2
1
5
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
10μs
100μs
1ms
DCOpeaion(T =25C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 1.67 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
2SK2833 TERMINAL
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2SK3151 0.025 ohm, POWER, FET
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2SK3591 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
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參數(shù)描述
2SK2610 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2610(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
2SK2610(F,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 5A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
2SK2610 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P
2SK2611 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247VAR
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