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參數資料
| 型號： | 2SK260H |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 5A條（丁）|至3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK260H |
2SK2553
8
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
LDPAK (S)-(2)
—
—
1.35 g
10.2
±
0.3
1.27
±
0.2
(
(
8
±
1
+
–
4.44
±
0.2
1.3
±
0.2
0.1
+ 0.2
0.4
±
0.1
0.86
2.54
±
0.5
+ 0.2
2.54
±
0.5
1.2
±
0.2
5
+
–
(
7.8
6.6
2.2
1
7
7
As of January, 2001
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2833 | TERMINAL |
| 2SK2833-R | Power MOSFET |
| 2SK3151 | 0.025 ohm, POWER, FET |
| 2SK3591-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3591 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2610 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2610(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 5A 2.5@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2610(F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 5A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN |
| 2SK2610 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| 2SK2611 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247VAR |
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