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參數資料
| 型號： | 2SK3151 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.025 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SK3151 |
2SK3151
5
0
4
8
12
16
20
50
40
30
20
10
–50
0
50
100
150
200
0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Case Temperature Tc (°C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
V = 10 V
4 V
Pulse Test
R
D
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Pulse Test
I = 50 A
20 A
10 A
1
20
100
2
2
5
1
10
200
20
10
V = 4 V
10 V
Pulse Test
50 A
I = 50 A
10,20 A
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
100
200
20
10
50
2
5
1
0.5
Tc = –25 °C
75 °C
25 °C
V = 10 V
Pulse Test
50
50
5
10,20 A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3591-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3591 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK897 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK897-MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 3.0SMCJ210C-T/R | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3151(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3151-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,50A,11.5m ohm,TO-3P |
| 2SK3152 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:2SK3152 - Rail/Tube |
| 2SK3152-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM |
| 2SK3153 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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