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參數資料
| 型號： | 2SK3151 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.025 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SK3151 |
2SK3151
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
1000
10000
3000
200
160
120
80
40
0
20
16
12
8
4
80
160
240
320
400
0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
300
20
1
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
C
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
100
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 50 A
V
GS
V
DS
V = 100 V
50 V
25 V
0.5
5
500
50
50
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5
μ
s, duty < 1 %
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
30000
V = 100 V
50 V
25 V
5000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3591-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3591 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK897 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK897-MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 3.0SMCJ210C-T/R | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3151(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3151-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,50A,11.5m ohm,TO-3P |
| 2SK3152 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:2SK3152 - Rail/Tube |
| 2SK3152-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM |
| 2SK3153 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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