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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3210(L) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/7頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SK3210(L) |
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3210(S) | |
| 2SK3211(L) | |
| 2SK3211(S) | |
| 2SK3274(L) | |
| 2SK3274(S) | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3210S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3210S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3210STL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262VAR |
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