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參數資料
型號: 2SK3210(S)
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 38K
代理商: 2SK3210(S)
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK3211(L)
2SK3211(S)
2SK3274(L)
2SK3274(S)
2SK3418-E 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3210S-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3210STL 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3211 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3211(L) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262VAR
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