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參數資料
| 型號： | 2SK3538 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | Switching Regulator, DC-DC Converter Applications |
| 中文描述： | 開關穩壓器，DC - DC轉換應用 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | 2SK3538 |
2SK3538
2003-02-14
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (
π
-MOSV)
2SK3538
Switching Regulator, DC-DC Converter Applications
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 75 m
(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 7.0 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
1
00 μA (V
DS
= 500 V)
Enhancement-mode: V
th
= 2.0 to 4.0 V (V
DS
=
1
0 V, I
D
=
1
mA)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DSS
500
V
Drain-gate voltage (R
GS
20 k )
V
DGR
500
V
Gate-source voltage
V
GSS
30
V
DC
(Note 1)
I
D
8
Drain current
Pulse (Note 1)
I
DP
32
A
Drain power dissipation (Tc 25°C)
P
D
65
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
E
AS
312
mJ
Avalanche current
I
AR
8
A
Repetitive avalanche energy
(Note 3)
E
AR
6.5
mJ
Channel temperature
T
ch
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
R
th (ch-c)
1.92
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is
below 150°C.
Note 2: V
DD
90 V, T
ch
25°C (initial), L 8.3 mH, I
AR
8 A, R
G
25
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-97
TOSHIBA
2-9F1B
Weight: 0.74 g (typ.)
1
2
3
4
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PDF描述 |
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參數描述 |
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