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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3760 |
| 廠商： | 美麗微半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( PIE-MOS6) |
| 中文描述： | 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOS6） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SK3760 |
2SK3760
2004-02-26
3
1
0.1
1
10
10
VGS
=
10 V 15V
0
0
2
4
6
8
10
2
4
Tc
=
55°C
25
100
3
1
0
12
16
20
0
ID
=
3.5 A
4
8
12
16
1
1.8
8
4
0.1
1
10
0.1
1
10
25
100
Tc
=
55°C
2
1.2
0.8
0
1.6
0.4
0
1
2
3
4
VGS
=
4V
4.2
4.6
4.4
4.8
5
8
15,10
5
5.5
6
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
4
3
2
1
0
5
0
8
20
VGS
=
4 V
4.5
5
6
15,10
5.5
16
12
4
8
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
)
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
Y
fs
– I
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
F
Y
f
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
PULSE TEST
D
D
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
COMMON SOURCE
Tc
=
25
PULSE TEST
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