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參數資料
| 型號： | 2SK3760 |
| 廠商： | 美麗微半導體有限公司 |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( PIE-MOS6) |
| 中文描述： | 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOS6） |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SK3760 |
2SK3760
2004-02-26
4
G
G
1
0.1
10
100
1000
10000
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
160
40
0
40
80
120
80
10
8
6
4
2
0
ID
=
3.5A
1
1.8
0
80
1
2
3
5
40
0
40
80
120
160
4
0
0.1
0.2
1
10
100
0.6
0.8
1.2
VGS
=
0,
1 V
10
5
1
3
0.4
1.0
0
5
15
VDD
=
100 V
VDS
VGS
400
200
20
25
500
200
100
300
400
0
10
20
8
4
12
16
0
80
0
0
40
80
120
40
60
160
20
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE – V
DS
C
COMMON SOURCE
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
D
P
D
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
P
D
– Tc
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
I
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
G
V
t
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
V
th
– Tc
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
PULSE TEST
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
R
D
)
TOTAL GATE CHARGE Q
g
(nC)
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
D
D
COMMON SOURCE
ID
=
3.5 A
Tc
=
25°C
PULSE TEST
COMMON SOURCE
VGS
=
10 V
PULSE TEST
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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