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參數資料
| 型號： | 2ST1480FP |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2ST1480FP |
December 2009
Doc ID 16856 Rev 1
1/7
7
2ST1480FP
Low voltage NPN power transistor
Features
■ High current gain characteristic
■ Fast switching speed
■ Fully insulated package
Applications
■ Printer
■ DC-DC converter
Description
The device is manufactured using new “PB-HCD”
(power bipolar high current density) technology.
The resulting transistor shows exceptional high
gain performances coupled with very low
saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
TO-220FP
1
2
3
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
2ST1480FP
TO-220FP
Tube
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2ST2121 | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2STA1943 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2ST2121 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST31A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST501T | 功能描述:達林頓晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2ST5949 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
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