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參數資料
| 型號： | 2ST2121 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2ST2121 |
November 2008
Rev 5
1/8
8
2ST2121
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = -250 V
■ Complementary to 2ST5949
■ Typical ft = 25 MHz
■ Fully characterized at 125
oC
Applications
■ Audio power amplifier
Description
The device is a PNP transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Table 1.
Device summary
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-3
1
2
Order code
Marking
Package
Packaging
2ST2121
TO-3
tray
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STA1943 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2ST31A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST501T | 功能描述:達林頓晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2ST5949 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STA1694 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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