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參數資料
| 型號： | 62C1024L |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K的× 8低功耗CMOS靜態RAM |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | 62C1024L |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. E
11/26/03
IS62C1024L
ISSI
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 3.0V,
CE1
≥
V
DD
– 0.2V
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
—
—
45
60
250
400
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE1
Controlled)
DATA RETENTION WAVEFORM (CE2 Controlled)
VDD
CE1
≥
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE1
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
VDD
CE2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CE2
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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