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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI75S-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-39 |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大小： | 529K |
| 代理商： | 6MBI75S-060 |
H04-004-03
13
MS5F5326
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25℃ (typ.)
C
Col lector - Emitter voltage : VCE [ V ]
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125℃ (typ.)
Collect or - Emitter vol tage : VCE [ V ]
C
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
Tj= 25℃
Tj= 125℃
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Col lector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Ic= 37.5A
Ic= 75A
Ic=150A
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25℃ (typ.)
C
Ga te - Emitter vol tage : VGE [ V ]
0
5
10
15
20
25
30
35
100
1000
10000
30000
[ Inverter ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25℃
C
Col lector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
[ Inverter ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=75A, Tj= 25℃
Gate charge : Qg [ nC ]
C
0
5
10
15
20
25
G
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75S-120-01 | IGBT Module |
| 6MBI75U2A-060 | IGBT module |
| 6MBI75U4A-120 | IGBT MODULE |
| 6MBI8F-120 | IGBT(1200V 8A) |
| 6MBI8L-120 | IGBT(1200V 8A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI75S-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI75S-120_10 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI75S-120-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module |
| 6MBI75S-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6-PACK IGBT MODULE 75A 1200V NPT |
| 6MBI75S-140 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module |
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