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參數資料
型號: 933334180113
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 39K
代理商: 933334180113
1996 Sep 17
4
Philips Semiconductors
Product specication
Controlled avalanche diode
BAX12
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
0
100
200
400
500
300
200
0
100
MBG455
Tamb (
oC)
IF
(mA)
Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage
012
600
0
200
400
MBG463
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(1) Tj = 175 °C; typical values.
(2) Tj =25 °C; typical values.
(3) Tj =25 °C; maximum values.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
Tj =25 °C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG702
10
tp (s)
1
IFSM
(A)
102
101
104
102
103
10
1
相關PDF資料
PDF描述
933334180133 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
933334180143 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
933389620127 800 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
933321010127 600 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
933599170127 800 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
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參數描述
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