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參數資料
型號: 933334180113
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 39K
代理商: 933334180113
1996 Sep 17
5
Philips Semiconductors
Product specication
Controlled avalanche diode
BAX12
Fig.5 Reverse current as a function of junction temperature.
handbook, full pagewidth
0
100
200
10
102
104
103
105
106
107
MBG696
IR
(nA)
Tj (
oC)
VR =90V.
Solid line; maximum values. Dotted line; typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj =25 °C.
handbook, halfpage
010
20
30
VR (V)
40
Cd
(pF)
30
10
0
20
MGD003
Fig.7
Maximum permissible repetitive peak
reverse power as a function of the pulse
duration T
≥ 50 ms; Tj =25 °C.
Solid line; rectangular waveform;
δ≤ 0.01.
Dotted line; triangular waveform;
δ≤ 0.02.
(1) Limited by IRMM = 600 mA.
handbook, half age
MBG701
101
110
1
10
102
103
102
PRRM
(W)
t (ms)
(1)
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PDF描述
933334180133 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
933334180143 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
933389620127 800 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
933321010127 600 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
933599170127 800 V, 12 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB
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參數描述
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