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APT97H50J

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  • APT97H50J
    APT97H50J

    APT97H50J

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 250

  • APT

  • 97A/500V/MOS/1U

  • 2024+

  • -

  • 全新現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • APT97H50J
    APT97H50J

    APT97H50J

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號(hào)

  • -

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APT97H50J 技術(shù)參數(shù)
  • APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買(mǎi)時(shí)間 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:29ns/226ns 測(cè)試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:892W 開(kāi)關(guān)能量:3.12mJ（開(kāi)），2.55mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:29ns/226ns 測(cè)試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N65B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 35.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:320nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8140pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT94N65B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:94A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 47A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:580nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13940pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT94N60L2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 94A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:94A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:640nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:264 MAX? [L2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G
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