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APTC80TDU15P

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTC80TDU15P
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
N108X62-23L
25+
-
國產品牌，替代進口

APTC80TDU15PG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

APTC80TDU15PG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG

APTC80TDU15P PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTC80TDU15P PDF下載

制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Triple dual Common Source Super Junction MOSFET Power Module

APTC80TDU15P 技術參數

APTC80TA15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC80SK15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC80H29T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80H29T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC80H29SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G