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參數資料
| 型號： | ADF4252BCP-REEL7 |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | XO, clock |
| 英文描述： | Dual Fractional-N/Integer-N Frequency Synthesizer |
| 中文描述： | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 3000 MHz, QCC24 |
| 封裝： | MO-220-VGGD, LFCSP-24 |
| 文件頁數： | 4/28頁 |
| 文件大小： | 384K |
| 代理商： | ADF4252BCP-REEL7 |
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REV. B
–4–
ADF4252
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although the
ADF4252 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices
subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended
to avoid performance degradation or loss of functionality.
ORDERING GUIDE
Temperature
Range
Package
Option
*
Mode
ADF4252BCP
ADF4252BCP-REEL
ADF4252BCP-REEL7
EVAL
–
ADF4252EB1
EVAL
–
ADF4252EB2
–
40
o
C to +85
o
C
–
40
o
C to +85
o
C
–
40
o
C to +85
o
C
CP-24
CP-24
CP-24
*
CP = Chip Scale Package
PIN CONFIGURATION
PIN 1
(TOP VIEW
18 CP
GND
2
17 DV
DD
16 IF
IN
A
15 IF
IN
B
14 A
GND
2
13 R
SET
CP
RF
1
CP
GND
1 2
RF
IN
A 3
RF
IN
B 4
A
1 5
MUXOUT 6
2
P
1
R
I
R
O
D
G
C
D
L
2
D
1
2
D
3
2
D
2
2
P
2
1
I
ADF4252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1, 2
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted.)
V
DD
1, V
DD
2, V
DD
3, DV
DD
to GND
3
. . . . . . . .
–
0.3 V to +4 V
REF
IN
, RF
IN
A, RF
IN
B to GND . . . . . .
–
0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
V
P
1, V
P
2 to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 V to +5.8 V
V
P
1, V
P
2 to V
DD
1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
3.3 V to +3.5 V
Digital I/O Voltage to GND . . . . . . . .
–
0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
Analog I/O Voltage to GND . . . . . . . .
–
0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
Operating Temperature Range
Industrial (B Version) . . . . . . . . . . . . . . . .
–
40
°
C to +85
°
C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . .
–
65
°
C to +150
°
C
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
°
C
CSP
JA
Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
°
C/W
Soldering Reflow Temperature
Vapor Phase (60 sec max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°
C
IR Reflow (20 sec max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°
C
NOTES
1
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of
the device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2
This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating
of <2 k
, and it is ESD sensitive. Proper precautions should be taken for handling
and assembly.
3
GND = CP
GND
1, A
GND
1, D
GND
, A
GND
2, and CP
GND
2.
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