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參數(shù)資料
| 型號： | AO4454 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 6500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | AO4454 |
AO4454
100V N-Channel MOSFET
SDMOS
TM
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
6.5A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 36m
RDS(ON) (at VGS = 7V)
< 43m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
V
±25
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
100
The AO4454 is fabricated with SDMOS
TM trench
technology that combines excellent RDS(ON) with low gate
charge.The result is outstanding efficiency with controlled
switching behaviar. This universal technology is well
suited for PWM, load switching and general purpose
applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
100V
mJ
Avalanche Current
C
39
A
28
A
ID
6.5
5.3
46
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
W
3.1
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
Maximum Junction-to-Ambient
A
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Rev1: November 2010
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4456 | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4466 | 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4620 | 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4710 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4800B | 6900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4454L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4455 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device |
| AO4456 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4458 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4459 | 功能描述:MOSFET P-CH -30V -6.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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