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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AO4466 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | AO4466 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
34
40
62
75
RθJL
18
24
A
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B, G
16
mJ
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤ 10s
RθJA
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±20
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
TA=25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
9.4
7.7
50
Avalanche Current
B, G
18
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
30
W
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3.1
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
AO4466
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 9.4A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 23m
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 35m
(VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4466 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to bypass the source inductance.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4620 | 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4710 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4800B | 6900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4812 | 6000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4813 | 7100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4466_102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:448pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO4466_12 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4468 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4468_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4470 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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