- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄57938 > AO4812 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 6000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AO4812 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 6000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | AO4812 |
AO4812
30V Dual N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
6A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 30m
RDS(ON) (at VGS =4.5V)
< 42m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
mJ
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
TA=70°C
1.3
Units
Thermal Characteristics
Parameter
Typ
Max
The AO4812 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs
make a compact and efficient switch and synchronous
rectifier combination for use in buck converters.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
30V
Drain-Source Voltage
30
Gate-Source Voltage
5
TA=25°C
TA=70°C
A
10
V
±20
Continuous Drain
Current
6
W
2
TA=25°C
Avalanche Current
C
5
30
A
ID
Maximum Junction-to-Ambient
A D
32
90
Pulsed Drain Current
C
°C/W
RθJA
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
48
74
62.5
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
SOIC-8
Top View
Bottom View
Pin1
G2
D2
S2
G1
D1
S1
G1
S1
G2
S2
D1
D2
Top View
Rev 9: February 2011
www.aosmd.com
Page 1 of 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4813 | 7100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4822 | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4932 | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO6402A | 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO6402AL | 30 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4812_101 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4812_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET |
| AO4812A | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4812L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4812L_101 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。