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參數(shù)資料
型號(hào): AO4474
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: 30 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 171K
代理商: AO4474
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
28
34
57
71
RθJL
16
23
Junction and Storage Temperature Range
°C
-55 to 150
3.7
W
TA=70°C
2.4
Power Dissipation
TA=25°C
PD
Maximum
Units
Parameter
30
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤ 10s
RθJA
°C/W
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B, G
88
mJ
Pulsed Drain Current
B
60
A
Avalanche Current
B, G
42
A
TA=70°C
10.7
Continuous Drain
Current
A, F
TA=25°C
IDSM
13.4
AO4474
30V N-Channel MOSFET
Product Summary
VDS (V) = 30V
ID = 13.4A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 11.5m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 13.5m (VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
General Description
The AO4474 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device
is suitable for use as a high side switch in SMPS and
general purpose applications.
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4718 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOD4185 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI4185 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOD472 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI403 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4476 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4476A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4476A_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4476A_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4476AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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