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參數資料
| 型號： | AOI403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOI403 |
AOD403/AOI403
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS= -20V)
-70A
RDS(ON) (at VGS= -20V)
< 6.2m
RDS(ON) (at VGS = -10V)
< 8m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
The AOD403/AOI403 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate
resistance. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current load applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
-30V
Drain-Source Voltage
-30
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
G
D
S
Top View
Bottom View
TO251A
IPAK
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
0.9
50
1.1
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
136
1.6
TA=25°C
-55
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
Continuous Drain
Current
125
-15
-50
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
-200
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
ID
-70
V
±25
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
-12
A
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
16
41
20
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.5
68
TC=100°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
G
D
S
Top View
Bottom View
TO251A
IPAK
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOI409 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4126 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4130 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4144 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
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