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參數(shù)資料
| 型號： | AOI403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOI403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
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-I
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(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
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D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
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Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
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25°C
125°C
V
DS=-5V
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GS=-10V
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(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
18
40
0
20
40
60
80
100
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
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0.8
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-I
S
(A
)
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SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
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N
o
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O
n
-R
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s
is
ta
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Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
0
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0
5
10
15
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R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
0
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0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AOI4102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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| AOI4144 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
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