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參數資料
| 型號： | AOI403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 505K |
| 代理商： | AOI403 |
AOD403/AOI403
VD C
Ig
Vds
DUT
VDC
Vgs
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & W aveform
-
+
-
+
-10V
Id
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
-
2
E
= 1/2 LI
AR
BV
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
-
+
Vgs
Vds
t
90%
10%
r
on
d(off)
f
off
d(on)
VD C
Ig
Vds
DUT
VDC
Vgs
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & W aveform
-
+
-
+
-10V
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
VDC
Vgs
Vds
Id
Vgs
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
-
+
2
E
= 1/2 LI
AR
BV
DSS
I AR
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vgs
Isd
Diode Recovery Test Circuit & W aveforms
Vds -
Vds +
dI/dt
RM
rr
Vdd
Q
= -
Idt
t
rr
-Isd
-Vds
F
-I
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
-
+
Vgs
Vds
t
90%
10%
r
on
d(off)
f
off
d(on)
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOI409 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4126 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4130 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI4144 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-251A |
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