- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48365 > AOI4185 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | AOI4185 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOI4185 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
15
20
41
50
RθJC
2
2.4
Maximum Junction-to-Case
D,F
TC=100°C
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Drain-Source Voltage
Steady-State
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
Steady-State
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
PD
-115
-42
88
V
±20
Gate-Source Voltage
TA=70°C
Power Dissipation
B
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
A
mJ
ID
Pulsed Drain Current
C
-50
-35
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
-40
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
V
°C
62.5
31
-55 to 175
W
2.5
1.6
AOD4185/AOI4185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = -40V
ID = -50A
(VGS = -10V)
RDS(ON) < 15m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 20m (VGS = -4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
General Description
The AOD4185/AOI4185 uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current applications.
-RoHS Compliant
-Halogen Free*
G
D
S
G
TO-251A
IPAK
Top View
S
Bottom View
D
S
G
D
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOI423 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 |
| AOI4286 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4286L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI442 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI444 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。