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參數資料
| 型號： | AOI4185 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOI4185 |
AOD4185/AOI4185
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
150
mJ
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V
GS
(V
ol
ts
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Cap
acit
a
n
ce
(
p
F
)
Ciss
10
100
1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
Po
w
e
r(
W
)
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θJc
No
rm
aliz
ed
T
ran
sien
t
T
h
e
rm
al
Resist
an
ce
Coss
Crss
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
-VDS (Volts)
-I
D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
10
s
100
s
VDS=-20V
ID=-20A
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=Tc+PDM.ZθJC.RθJC
RθJC=2.4°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
TJ(Max)=175°C
TC=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| AOI4286 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4286L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI442 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI444 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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