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參數資料
| 型號： | AOD403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
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-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
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D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
0.8
1
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Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
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D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
18
40
0
20
40
60
80
100
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
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0.2
0.4
0.6
0.8
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1.2
-I
S
(A
)
-V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
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50
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N
o
rm
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li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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