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參數(shù)資料
| 型號： | AOD403 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
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Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
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-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
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)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
T
J(Max)=175°C
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C=25°C
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-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
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-V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1000
2000
3000
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5000
0
5
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15
20
25
30
C
a
p
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c
it
a
n
c
e
(p
F
)
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
0
80
160
240
320
400
0.0001
0.001
0.01
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P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
0.01
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0.00001
0.0001
0.001
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Z
θθθθ
J
C
N
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t
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rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TC+PDM.Z
θJC.RθJC
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
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10
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-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
100
s
RθJC=1.1°C/W
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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