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參數資料
型號: AP30T10GP-HF
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 19 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 58K
代理商: AP30T10GP-HF
AP30T10GP-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
V DS =50 V
V DS =60 V
V DS =80 V
I D =12 A
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
200
400
600
800
1000
1200
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
DC
Operation in this area
limited by RDS(ON)
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PDF描述
AP4232GM-HF 30 V, 0.022 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP4407GM-HF 10.7 A, 30 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP4413GM 7.8 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP4430GEM 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數描述
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