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參數資料
型號: AP4936M
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 80K
代理商: AP4936M
Advanced Power
Electronics Corp.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Fast Switching
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
25V
37m
Ω
5.8A
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
I
D
@T
A
=70
I
DM
P
D
@T
A
=25
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Storage Temperature Range
Units
V
V
A
A
A
W
W/
T
STG
T
J
Symbol
Value
62.5
Unit
/W
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient
3
Max.
Data and specifications subject to change without notice
20020305
AP4936M
Parameter
Rating
25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
3
Continuous Drain Current
3
Pulsed Drain Current
1
5.8
4.6
30
2
0.016
-55 to 150
-55 to 150
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Parameter
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
±
20
S1
G1
S2
G2
D1D1
D2
D2
SO-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
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PDF描述
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參數描述
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