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參數資料
| 型號： | APT35GP120B |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | APT35GP120B |
050-7406
Rev
D
6-2003
APT35GP120B
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
T
J
= 125 C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
10%
t
f
90%
t
d(off)
Switching
Energy
Collector Voltage
Collector Current
T
J = 125
C
Gate Voltage
Switching Energy
10%
t
r
90%
5%
10%
5 %
t
d(on)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT30DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT35GT120JU3 | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT4018BNR-BUTT | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR-GULLWING | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-GULLWING | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-BUTT | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT35GP120B2D2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):46Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT35GP120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT35GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT35GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 96A 543W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT35GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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