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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT45GP120J |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | APT45GP120J |
050-7430
Rev
C
6-2003
APT45GP120J
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
Cies
Coes
Cres
VGEP
Qg
Qge
Qgc
RBSOA
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCE = 600V
IC = 45A
TJ = 150°C, RG = 5, VGE =
15V, L = 100H,VCE = 960V
Inductive Switching (25°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 45A
RG = 5
TJ = +25°C
Inductive Switching (125°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 45A
RG = 5
TJ = +125°C
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate-to-Emitter Plateau Voltage
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller ") Charge
Safe Operating Area
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 55
Turn-off Switching Energy 66
MIN
TYP
MAX
3935
300
55
7.5
185
25
80
170
18
29
102
38
900
1869
904
18
29
151
79
900
3078
2254
UNIT
pF
V
nC
A
ns
J
ns
J
UNIT
°C/W
gm
MIN
TYP
MAX
.38
N/A
29.2
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (DIODE)
Package Weight
Symbol
RΘJC
WT
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2 For Combi devices, I
ces
includes both IGBT and FRED leakages
3 See MIL-STD-750 Method 3471.
4E
on1
is the clamped inductive turn-on-energy of the IGBT only, without the effect of a commutating diode reverse recovery current
adding to the IGBT turn-on loss. (See Figure 24.)
5E
on2
is the clamped inductive turn-on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn-on switching
loss. (See Figures 21, 22.)
6E
off
is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance wtih JEDEC standard JESD24-1. (See Figures 21, 23.)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVRG | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5012LNR | 42 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ（開），580μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT45GR65SSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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