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參數(shù)資料
型號: APT45GP120J
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 99K
代理商: APT45GP120J
050-7430
Rev
C
6-2003
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
180
160
140
120
100
180
160
140
120
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
APT45GP120J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
10
20
30
40
50
60
70
90
10
1
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.0339
0.0806
0.265
0.000443F
0.0269F
0.608F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GP120J 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT5010LVR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT5010LVR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT5010LVRG 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT5012LNR 42 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ(開),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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