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參數資料
型號: APT45GP120JDQ2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4 PIN
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 455K
代理商: APT45GP120JDQ2
050-7445
Rev
A
6-2005
APT45GP120JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 750A)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT45GP120JDQ2
1200
±30
75
34
170
170A @ 960V
329
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Reverse Biad Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
750
3000
±100
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
100 kHz operation @ 800V, 16A
Low Gate Charge
50 kHz operation @ 800V, 30A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA Rated
POWER MOS 7 IGBT
C
E
G
SO
T-2
27
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
1200V
APT45GP120JDQ2
相關PDF資料
PDF描述
APT45GP120JDQ2 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT5010B2FLC 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010JFLC 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010JFLL 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010JFLL 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關)值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1
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